三星和海力士已經成功造出DDR4記憶體

日前JEDEC固態技術協會宣布DDR4記憶體標準將於2012年年中正式發布，同時他們還公佈了新記憶體標準的部分關鍵屬性，例如記憶體的工作電壓和頻率等。
JEDEC稱，DDR4記憶體在架構、頻率和工作電壓上都進行了重新定義，目的是為了簡化新標準，讓其可以更容易地部署和推廣。據顯示，DDR4記憶體的默認頻率將從1600MHz起跳，最高可達3200MHz，工作電壓則定為1.2V，同時還會進一步降低VDD電壓並保證I/O電壓穩定。雖然頻率比DDR3記憶體要高出不少，但由於工作電壓的降低，DDR4記憶體的功耗仍然比DDR3略低。
DDR4記憶體的其它特性：
-擁有x4/x8/x16三種數據帶寬選擇；
-採用全新的時鐘與閘門差分信號；
- DQ總線負責控制VDDQ終端，在VDD電壓衰減時亦能保持硬件穩定；
-改進ODT協議並加入全新的Park Mode，無需ODT針腳就可以實現常規終端和動態寫入終端功能；
-突發長度8，突發突變4；
-新增數據屏蔽功能；
-全新的DBI技術，可有效降低硬件功耗並提升數據的完整性；
-改進數據總線錯誤校驗技術；
-加入全新的指令/數據總線CA對等技術；
-新增支​​持DLL關閉模式。

目前，三星和海力士已經成功造出DDR4記憶體的測試用產品，不過距離記憶體的商用化仍然有一大段距離，畢竟目前仍然未有支持DDR4記憶體的主板和處理器誕生。按照目前的狀況來看，DDR4記憶體最快也要到2015年方能真正普及。
日本網站PCWatch專欄作家後藤弘茂近日撰文，對下一代記憶體規格DDR4做了一番前瞻性介紹。新記憶體將給桌面、NB、伺服器、工作站再次帶來大幅度的性能提升，但也會顯著改變記憶體子系統的拓撲結構。

在日本東京舉行的MemCon 2010大會上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會成員Bill Gervasi介紹說，DDR4記憶體的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批採用36nm或者32nm。

目前的DDR3記憶體最高標準頻率為2133MHz，電壓則有標準版1.5V、節能版1.35V兩種。DDR4將繼續沿著高頻率、低電壓之路前進。

JEDEC預計在2011年完成DDR4記憶體規範的制定工作，2012年開始商用，超過DDR3而成為主流規格則可能要等到2015年。

DDR、DDR2、DDR3一路走來，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著記憶體子系統，DDR4帶來的變化甚至可能更大。後藤弘茂分析稱，DDR4時代每個記憶體通道只會支持一條記憶體模組，因為開發人員準備使用點對點技術取代目前的多點總線。這樣一來，系統可用記憶體條數量、容量都將受到很大限制，為此開發人員正在思考兩種解決方法：

第一，讓DRAM廠商借助矽穿孔(TSV)技術和多層製造工藝大幅提高單個記憶體顆粒的容量，這就對DRAM生產技術提出了幾乎苛刻的要求，而且用戶升級也會比較麻煩，為了提高多通道性能必須同時替換所有記憶體條。

第二，在服務器領域內，如果多層DRAM IC方式不適合，就在主板上安裝特殊開關，允許多個記憶體條工作在同一內存通道內，這顯然會增加主板的難度和成本，還可能會影響性能，帶來潛在的相容性問題。
差不多約4年左右記憶會改朝換代一次,現在2010剛好是ddr3成為主流,未來DDR3行情應該不大可能再上去了!!尤其明年三星又要大舉擴產,差不多2012年各大廠的新製程有良好的良率和產率,2013年和2014年應該又是DRAM公司體質的大考驗..........

雖然目前談下一代記憶體是早了許多,但照目前三星的動作加上各大廠製程改善未來記憶體價格應該好不到那去..............(如果有因製程改善使成本降低而不虧錢話我就覺得算不錯了)

除非力晶成功轉型(代工和LED)或是標準記憶體部份降低至1~2成以下,不然DRAME類股股價我想頂多就目前這樣.....

個人看法2013年年底至2014年左右可能會是進場買DRAM族群好時機..........

如果在2013和2014又有記憶體公司撐不下去加上隔年微軟那時剛好狂推64Bit作業系統話,我想應該會有不輸當初vista剛出時記憶體類股狂飆不止的大行情........

這邊說那麼多還是那麼久遠的事,一切只是預測給大家做個參考..............

最後這兩三年內記憶體類股的股票比較建議先避開會比較安全